TMC4671是一款完全集成伺服控制芯片，为直流无刷电机、永磁同步电机、2相步进电机、直流有刷电机和音圈电机提供磁场定向控制。
所有的控制功能都被集成在硬件上。集成了ADCs、位置传感器接口、位置差值器，该款功能齐全的伺服控制器，适用于各种伺服应用。
视频介绍：
TMC4671旨在快速缩短高性能伺服控制器的上市时间，同时最大限度提高驱动效率和动态性能。通过硬件中的所有时间关键计算，开发动态伺服控制器仅需要几行代码。
它具有高达100kHz的开关频率和控制器更新速率，并具有滤波和插值功能，如数字霍尔信号插值，以实现更顺畅的操作。该集成电路可以与各类编码器协同工作：从A/B/Z增量式简单的数字或模拟霍尔传感器到高分辨率正弦/余弦模拟编码器。传感器可灵活地映射为位置和速度控制回路的输入。凭借其delta-sigma电流检测ADC，TMC4671非常适合用于隔离式delta-sigma前端。
图2. 系统框图
功能简介：
- 伺服控制芯片、空间磁场矢量控制（FOC）
- 转矩控制（FOC）、速度控制、位置控制
- 前馈控制输入
- 集成ADCs、前端△∑ADCs
- 编码器引擎：模拟和数字霍尔、模拟和数字编码器
- 支持三相直流无刷伺服和永磁同步伺服电机、2相步进伺服电机、直流有刷和音圈电机
- 先进的PWM引擎（25KHz…100KHz）
- 应用程序SPI+调试（UART、SPI）
- 脉冲/方向接口
图3. 硬件框图
性能描述：
- 带有磁场矢量控制（FOC）的伺服控制芯片
- 转矩控制模式
- 速度控制模式
- 位置控制模式
- 电流控制刷新频率和最大的PWM频率为100KHz （速度和位置控制的刷新频率可以根据当前电流刷新频率的倍数配置）
- 控制功能/ PI控制器
- 中期结果的输入和输出可编程斩波
- 以积分电路结尾保护所有控制
- 可编程的电压循环向导限制器
- 目标值的前馈补偿和前馈摩擦补偿
- 高级前馈控制结构，实现最佳轨迹跟踪性能
- 扩展的中断请求掩蔽选项和限制器状态寄存器
- 具有霍尔传感器或/和最小移动的高级编码器初始化算法
- 运动控制和坡形控制
- 控制结构的梯形速度斜坡
- 脉冲/方向接口，方便定位
- 支持的电机种类
- 直流无刷电机
- 永磁同步电机
- 2相步进电机
- 直流有刷电机
- 音圈电机
- 位置反馈
- 开环位置发生器（可编程的PRM,RPM/S）用于初始化配置
- 数字增量编码器（ABN,ABZ 高达5MHz）
- 第二路数字量编码器输入（双反馈）
- 数字霍尔输入接口带有临时位置插补功能（H1, H2, H3 resp. HU, HV , HW）
- 模拟量编码器/模拟量霍尔输入接口（SinCos （0°, 90°） or 0°, 120°, 240°）
- 多圈位置计数器（32位）
- 目标位置、速度和目标转矩滤波（双阶）
- PWM包括SVPWM
- 可编程的PWM频率范围从20KHz100KHzn
- 可编程的BBM（BrakeBeforeMake）时间（偏低，偏高）0 ns . . . 2.5_s在10ns步骤内和栅极驱动输入信号
- PWM自动调整，用于运动期间改变PWM频率
- SPI通讯接口
- 40位数据长度（1个ReadWrite位+7个地址位+32个数据位）
- 立即SPI读取响应（通过单个数据报进行寄存器读取访问）
- SPI时钟频率高达1 MHz（未来版本为8 MHz）
- TRINAMIC实时监控接口（SPI Master）
- 通过TRINAMIC的实时监控系统实现实时数据高频采样
- 需要PCB上的单个10针高密度连接器
- 高级控制器通过频率响应识别和高级自动调谐支持使用TRINAMIC IDE调整选项
- UART调试接口
- 3引脚（GND, RxD, TxD） 3.3V UART接口（1N8; 9600 （default）, 115200, 921600, or 3M bps）
- 简易寄存器访问并行于嵌入式用户应用程序接口（SPI）
- 供电电压：5V和3.3V;1.8V的VCC_CORE由内部产生
- IO电压：3.3V用于所有的数字（可由VCCIO选择提供）；5V插分模拟量输入范围，3V为单端输入范围
- 时钟频率：25MHz（需要外部振荡器）
- 封装：QFN76
Silent Switcher模式大有帮助
Silent Switcher模块技术是进行超声电源轨设计的明智选择。引入该模式是为了帮助改善EMI和开关频率噪声。传统上，我们应该关注每个开关稳压器的热回路上的电路和布局设计。对于降压电路，如图4所示，热回路包含输入电容、顶部MOSFET、底部MOSFET，以及由走线、路由、边界(bounding)等引起的寄生电感。
Silent Switcher模块主要提供两种设计方法：
第一，如图4和图5所示，通过创建对立的热回路，由于双向辐射，大多数EMI将减少。通过该方法，将优化近20 dB。
